06 червня компанія ON Semiconductor представила нове покоління комбінованих рішень, що включає серію потужних MOSFET T10 PowerTrench® і EliteSiC 650V, які допомагають центрам обробки даних знизити енерговитрати на близько 1%. Зазначається, що серія T10 PowerTrench спеціально розроблена для великого струму, що є важливим для рівня потужності DC-DC перетворення, і завдяки компактному розміру упаковки забезпечує вищу густину потужності та відмінну теплову продуктивність; нове покоління кремнієвих карбідних (SiC) MOSFET ефективно зменшує заряд ворота вдвічі, а також на 44% зменшує енергію, яка накопичується в вихідному конденсаторі та вихідному заряді. Це комбіноване рішення відповідає строгим вимогам відкритої стандартної специфікації V3 (ORV3) для постачальників послуг масштабних операцій та підтримує наступне покоління високопотужних процесорів.