Según la información del 6 de junio de Jinshi Data, Ansenmei lanzó la última generación de la serie T10 PowerTrench® y la combinación de soluciones EliteSiC 650V MOSFET, que ayuda a reducir aproximadamente el 1% de la pérdida de energía en los centros de datos. Según se informa, la serie T10 PowerTrench está diseñada para manejar corrientes altas que son críticas para la conversión de potencia de nivel DC-DC, y proporciona una mayor densidad de potencia y un rendimiento térmico sobresaliente a través de un tamaño de paquete compacto. Los nuevos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de última generación reducen a la mitad la carga de compuerta y reducen la energía almacenada en la capacitancia de salida y la carga de salida en un 44%. Esta combinación de soluciones cumple con las estrictas especificaciones básicas de la versión 3 de los bastidores abiertos (ORV3) requeridas por los operadores de escala ultra grande y admite la próxima generación de procesadores de alta potencia.